SSD M.2 2280 MP600 GS 1TB 3D TLC NAND NVMe - CORSAIR
F1000GBMP600GS
| EAN: 840006697190
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EXCELENTE DESEMPENHO DE ARMAZENAMENTO DE 4ª GERAÇÃO
Um controlador PCIe de 4ª ger. x4 oferece leitura, gravação e tempos de resposta fenomenais, que deixam os SSDs M.2 padrão para trás.
UM PC MAIS RÁPIDO
Carregue jogos, inicie o Windows, abra e transfira arquivos: tudo isso com muito mais rapidez.
INTERFACE ULTRARRÁPIDA GEN4 PCIe x4 NVME 1.4 M.2
Com tecnologia NVMe 1.4 PCIe de 4ª geração para obter largura de banda máxima, o MP600 GS oferece um desempenho de armazenamento incrível.
3D TLC NAND DE ALTA DENSIDADE
Oferece uma combinação ideal de desempenho e resistência, garantindo uma duração e desempenho do seu drive por muitos anos de uso.
FATOR DE FORMA COMPACTO M.2 2280
Encaixa diretamente na maioria das Motherboards, sendo um ótimo upgrade para portáteis e computadores com CPUs aptas para PCIe 4ª geração.
Especificações:
Capacidade: 1TB
Interface: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.4
Formato: M.2 2280
NAND: 3D TLC NAND
Velocidade sequencial de leitura: Até 4.800MB/s
Velocidade sequencial de escrita: Até 3.900MB/s
Velocidade Escrita IOPS: Até 800.000 IOPS
Velocidade de Leitura IOPS: Até 580.000 IOPS
TBW: 600 TBW
Um controlador PCIe de 4ª ger. x4 oferece leitura, gravação e tempos de resposta fenomenais, que deixam os SSDs M.2 padrão para trás.
UM PC MAIS RÁPIDO
Carregue jogos, inicie o Windows, abra e transfira arquivos: tudo isso com muito mais rapidez.
INTERFACE ULTRARRÁPIDA GEN4 PCIe x4 NVME 1.4 M.2
Com tecnologia NVMe 1.4 PCIe de 4ª geração para obter largura de banda máxima, o MP600 GS oferece um desempenho de armazenamento incrível.
3D TLC NAND DE ALTA DENSIDADE
Oferece uma combinação ideal de desempenho e resistência, garantindo uma duração e desempenho do seu drive por muitos anos de uso.
FATOR DE FORMA COMPACTO M.2 2280
Encaixa diretamente na maioria das Motherboards, sendo um ótimo upgrade para portáteis e computadores com CPUs aptas para PCIe 4ª geração.
Especificações:
Capacidade: 1TB
Interface: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.4
Formato: M.2 2280
NAND: 3D TLC NAND
Velocidade sequencial de leitura: Até 4.800MB/s
Velocidade sequencial de escrita: Até 3.900MB/s
Velocidade Escrita IOPS: Até 800.000 IOPS
Velocidade de Leitura IOPS: Até 580.000 IOPS
TBW: 600 TBW
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